离子切割的主要加工特点探讨

　　在真空室中将离子源产生的离子引出，并在电场中加速，形成几十电子伏到几十千电子伏能量的离子束。在离子束溅射沉积、离子束直接沉积或电子束蒸发沉积薄膜的同时，用上述离子束进行轰击（也可先镀膜后轰击）。利用沉积原子和轰击离子之间一系列的物理化学作用，可在常温下合成各种优质薄膜。其关键技术是离子源、靶室和工艺参数的控制。

　　离子源是产生所需离子的关键部件，它的种类与质量决定着制备膜层的性能和质量。离子源的种类不下二、三十种，用于离子束材料表面改性的也有十多种。

　　离子切割的主要加工特点如下：

　　1.离子束轰击工件时，其束流密度和能量可以准确控制；

　　2.离子束加工在真空中进行，污染少，特别适合加工高纯度的半导体材料及易氧化的金属材料；

　　3.离子束加工的宏观压力小，因此加工应力小，热变形小，加工表面质量高，适合于各种材料和低刚度零件的加工。